各投标
11) *颗粒控制<20 @0.5um
12) *Wafer材质兼容Si，EMC，bonding等
13) *Boat可旋转
14) *设备在先进封装领域（WLCSP/Bumping/2.5D/3D封装）具有量产经验，装机量≥2台
15) 具备快速降温能力”
修改为：
三、设备技术指标
PI Curing炉要求能够达到如下性能指标：
1）*适用200mm notch晶圆工艺，可cover晶圆厚度400~2000um
2）*支持wafer翘曲度≤±3mm
3）*温度控制精度：±1℃（150℃~600℃）
4）*Process chamber含氧量控制：≤10ppm
5）*需配备Gas管路: O2，N2
6）*Batch size ≥75片
7）*MTBF大于250小时，uptime ≥90%
8）*Wafer Breakage Rate≤1/10000pcs
9) *Wafer材质兼容Si，EMC，bonding等。
10) *颗粒控制<20 @0.5um
11) *Wafer材质兼容Si，EMC，bonding等
12) *设备在先进封装领域（WLCSP/Bumping/2.5D/3D封装）具有量产经验，装机量≥2台
13) 具备快速降温能力
3、
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