各投标人：
现将本项目补遗文件（一）发布如下：
1、本项目招标文件第八章“二、技术规格”中“二、设名称、型号、规格及数量”第“4总体配置：
* 设备状态为全新全自动化设备，适用于200mm notch wafer的batch式炉管
* 设备自带SMIF装置
* 适用于SMIF-RFID式的圆片传送识别装置
* 设备满足甲方三相208V/380V或单相100V/120V/220V的供电要求
* 设备支持标准的SECS/GEM通讯协议，并支持与MES连接
* 系统要有软硬盘存储数据功能，工作电脑需配备双硬盘实时备份并提供系统备份”
修改为：
“4.总体配置：
* 设备状态为全新全自动化设备，适用于200mm notch wafer的batch式炉管
* 设备自带SMIF/Loadport装置
* 适用于SMIF-RFID式的圆片传送识别装置
* 设备满足甲方三相208V/380V或单相100V/120V/220V的供电要求
* 设备支持标准的SECS/GEM通讯协议，并支持与MES连接
* 系统要有软硬盘存储数据功能，工作电脑需配备双硬盘实时备份并提供系统备份
* 随设备配置一套8吋工艺需要的石英及热电偶
* 随设备配置一套设备保养所需的治具”
2、本项目招标文件第八章“二、技术规格”中“三、设备技术指标
PI Curing炉要求能够达到如下性能指标：
1) *适用200mm notch晶圆工艺，可cover晶圆厚度400~2000um
2) *支持wafer翘曲度≤±3mm
3) *温度控制精度：±1℃（150℃~600℃）
4) *温度均匀性（wafer to wafer，within wafer） ±1.5℃(150℃~600℃)
5) *Process chamber含氧量控制：≤10ppm
6) *需配备Gas管路: O2，N2
7) *Batch size ≥75片
8) *MTBF大于250小时，uptime ≥90%
9) *Wafer Breakage Rate≤1/10000pcs
10) *Wafer材质兼容Si，EMC，bonding等。
11) *颗粒控制<20 @0.5um
12) *Wafer材质兼容Si，EMC，bonding等
13) *Boat可旋转
14) *设备在先进封装领域（WLCSP/Bumping/2.5D/3D封装）具有量产经验，装机量≥2台
15) 具备快速降温能力”
修改为：
三、设备技术指标
PI Curing炉要求能够达到如下性能指标：
1）*适用200mm notch晶圆工艺，可cover晶圆厚度400~2000um
2）*支持wafer翘曲度≤±3mm
3）*温度控制精度：±1℃（150℃~600℃）
4）*Process chamber含氧量控制：≤10ppm
5）*需配备Gas管路: O2，N2
6）*Batch size ≥75片
7）*MTBF大于250小时，uptime ≥90%
8）*Wafer Breakage Rate≤1/10000pcs
9) *Wafer材质兼容Si，EMC，bonding等。
10) *颗粒控制<20 @0.5um
11) *Wafer材质兼容Si，EMC，bonding等
12) *设备在先进封装领域（WLCSP/Bumping/2.5D/3D封装）具有量产经验，装机量≥2台
13) 具备快速降温能力
3、投标文件的递交时间修改为：
投标截止时间（开标时间）：2024年 5 月 16 日14：00 分,投标文件递交时间：2024年 5月 16 日13 ：30分－2024年 5 月 16 日14 ：00 分。
已发出的招标文件与本补遗文件（一）有冲突的地方，以本补遗文件（一）为准。
招标人：联合微电子中心有限责任公司
招标代理机构：中国远东国际招标有限公司
联系人：王静
电话： 18680888091
2024年4月30日
